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厂商型号

MMBT2222AK 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN EPITAXIAL SILICON

内部编号

3-MMBT2222AK

#1

数量:7800
1+¥0.8475
25+¥0.7705
100+¥0.7705
500+¥0.6934
1000+¥0.6934
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:7800
1+¥0.8475
25+¥0.7705
100+¥0.7705
500+¥0.6934
1000+¥0.6934
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MMBT2222AK产品详细规格

文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大 350mW
频率转换 300MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.6
最小直流电流增益 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@1...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 350
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 300(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 75
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 40
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 50mA, 500mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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